- TitreLes modules IGBT de forte puissance. Leur essor dans les applications de traction ferroviaire
- Numéro d'objetBIB_K23624
- Auteur
- SourceREE - Revue de l'Electricité et de l'Electronique (01 10 1998), p.52-59
- DimensionsK
- MatériauARTICLE
Résumé
Het concept van de modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berust op een technologie van de nieuwe hybridische integratie voor toepassingen van een groot vermogen in de spoorwegtractie. Die inrichting vervangt de
traditionele onderdelen met een drukcontact "presspack", thyristor of diode.
La conception des modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) utilise une technologie d'intégration hybride nouvelle pour les applications de forte puissance en traction ferroviaire. Ce dispositif remplace les composants
traditionnels à contact pressé "presspack", thyristor ou diode.