[ChangeLanguage]
Sidebar content Main content
Actions
  • Titre
    Les modules IGBT de forte puissance. Leur essor dans les applications de traction ferroviaire
  • Numéro d'objet
    BIB_K23624
  • Auteur
  • Source
    REE - Revue de l'Electricité et de l'Electronique (01 10 1998), p.52-59
  • Dimensions
    K
  • Matériau
    ARTICLE
Résumé


Het concept van de modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) berust op een technologie van de nieuwe hybridische integratie voor toepassingen van een groot vermogen in de spoorwegtractie. Die inrichting vervangt de
traditionele onderdelen met een drukcontact "presspack", thyristor of diode.


La conception des modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) utilise une technologie d'intégration hybride nouvelle pour les applications de forte puissance en traction ferroviaire. Ce dispositif remplace les composants
traditionnels à contact pressé "presspack", thyristor ou diode.